导读 在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗降低10%，且无需硅通孔（TSV）工艺即可生产128GB内存模组此次新品为实现高达1TB容量的内...

在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗降低10%，且无需硅通孔（TSV）工艺即可生产128GB内存模组此次新品为实现高达1TB容量的内存模组奠定了基础随着12纳米级内存产品阵容的扩展，三星将持续为AI，下一代计算等多行业的各种应用提供支持2023年9月1日，三星宣布采用12纳米（nm）级工艺技术，开发出其容量最大的32GbDDR5DRAM（DDR5DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。 三星12纳米级32GbDDR5DRAM（1）"在三星最新推出的12纳米级32Gb内存的基础上，我们可以研发出实现1TB内存模组的解决方案，这有助于满足人工智能和大数据时代对于大容量DRAM内存日益增长的需求。” 通过向数据中心，以及采用人工智能和下一代计算等应用的客户提供12纳米级的32Gb内存，三星希望巩固其在下一代内存市场的前沿地位。

来源：TOOM舆情监测